14/10/08 09:47:05.22 Bfb/JJn00
当時部下だった二人の手柄横取りしたカス野郎がなにか言ってるわ
「自発的なもので，中村氏に命じられたものではない」（同氏）。走査型電子顕微鏡を使って電子線を照射したり，化学処理したりするがすべて失敗する。
そしてある時，「電子ビーム蒸着装置」の電子銃を使うことを思い付いて実行すると，強力な電子線で割れた，MgをドープしたGaN単結晶のサンプルがp型化を示していた。
その後，妹尾氏は再現性の実験を繰り返す。確証を得たら中村氏に知らせるつもりだった。
ところが，3日ほどたった時に中村氏に見つかり，黙っていたことを怒られたという。
2人はこの実験を基に専用の電子線照射装置を外注し，1991年11月に受領した。
だが，結局この電子線照射装置を同社が量産工程で使うことはなかった。
1991年に入社した岩佐氏が，わずか6カ月後の同年9月末に，加熱処理によるGaN単結晶のp型化（アニールp型化現象）を偶然発見したからだ。
この方が量産性に優れていた。
薄いサファイア基板にGaN単結晶を製膜すると熱膨張の差で反りが発生する。
岩佐氏はそれを抑えるために，サファイア基板に液状酸化ケイ素を塗布し，焼き固めることで反りを強制的に抑える方法を試した。
そのうち，「加熱すると結晶の質が変わるのではないか」と考えた同氏は，p型GaN単結晶を加熱してみることにした。
すると，MgをドープしたGaN単結晶は400℃ほどでp型からn型に変化するが，さらに温度を上げて600℃以上にすると再びp型化することを発見した。
この実験を基に「加熱処理だけでp型化できる」と推測した岩佐氏は中村氏に報告する。ところが中村氏は全く信用しなかったため，岩佐氏は再実験して確認した後，報告し直したという。
その時にも「そんなはずがない。間違っているだろう」と中村氏に否定されるが，岩佐氏が自信に満ちた態度で断言すると，中村氏は自ら確認実験を行った。
このアニールp型化現象を発見する上で岩佐氏は「中村氏から全く指示は受けていない。入社間もなくてほとんど口を利いてくれなかったほど」と証言する。
後に中村氏は，妹尾氏や岩佐氏が実現もしくは発見したp型化現象を，理論を後付けした上で誰にも知らせずに，妹尾氏や岩佐氏と連名の論文として発表する。
筆頭者（ファーストオーサー）は中村氏だった。
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