24/03/07 23:13:22.02 bGQle63P.net
グローバルファウンドリ（半導体委託生産）業界で、次世代先端工程の「2ナノメートル（1ナノメートルは10億分の1メートル）」量産競争に火がついた。ファウンドリ1位の企業である台湾の「TSMC」が今年下半期に2ナノ半導体の試作品の生産準備に着手した中で、サムスン電子も2025年に本格的に2ナノ量産に入る計画を明かした。米政府が強く支援している伝統企業「インテル」もファウンドリ部門への投資を大幅に強化しており、企業間の競争が激しくなる見通しだ。
サムスン電子は27日（現地時間）、米シリコンバレーで「サムスン・ファウンドリ・フォーラム2023」を開き、具体的な2ナノ以下ファウンドリ工程のロードマップを発表した。2ナノ工程は2025年、モバイル用半導体の生産から始まる。2026年にはハイパフォーマンス・コンピューティング（HPC）に2ナノ工程を適用し、2027年には車向け半導体工程に拡大する。半導体回路の線幅を意味するナノメートルの単位が小さくなるほど、低電力、高性能、超小型半導体を作ることができる。2ナノ工程は3ナノ工程に比べて性能が12%、電力効率が25%向上するとサムスン電子は説明した。
現在、最新工程技術で最も進んでいる企業はTSMCとサムスン電子。3ナノ工程の基準でサムスン電子の技術力がTSMCに比べて1年ほど遅れているが、2ナノの量産が本格化する2025年には両社間の差がなくなる見通しだ。昨年6月、ナノ競争の中核とされるGAA（Gate All Around）トランジスタ技術を3ナノ半導体の量産に真っ先に導入したのが、技術逆転の契機になるとサムスン電子はみている。GAA技術は、工程の微細化によるトランジスタ性能の低下を克服し、データ処理速度と電力効率を高める次世代半導体の中核技術。TSMCは2025年の2ナノ工程からこの技術を適用する予定だという。
ジャップの最先端って40ナノだっけ
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