22/07/27 01:15:02.26 dkHlmMte.net
「NILによる超微細半導体の省エネルギー加工技術」が「環境賞」を受賞
最先端ロジック製造のパターン形成時における消費電力の大幅削減が可能
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キヤノン、大日本印刷、キオクシアは共同で、既存の半導体製造レベル（最小線幅15nm※2）のNILによるパターン形成に成功しています。
これは、現在の最先端ロジック半導体製造レベル（5ナノノード※3）に相当します。NIL技術を半導体製造に適用することで、
パターン形成時の消費電力を既存の最先端ロジック向け露光技術と比べて、約10分の1まで削減できます。
「環境賞」では、半導体製造時の消費電力削減に貢献し、今後のIoT社会の急速な拡大を支える技術として評価され、
「優良賞」を受賞しました。