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炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といったワイドギャップ半導体が注目を集めており、
研究開発も活発に進められている。
酸化ガリウムはSiCやGaNよりもバンドギャップが大きく、
単結晶基板の作製も容易だ。そのため、
高耐圧・低損失のパワーデバイスを低コスト・低エネルギーで製造できる可能性を持つが、
これまではほとんど研究されてこなかったという。
今回開発したMESFETでは、
非常にシンプルなトランジスター構造にも関わらず良好な特性を示したとのこと。