09/09/18 11:14:30
東芝と米サンディスクは２０１０年後半から回路線幅２０ナノメートル（ナノは１０億分の１）台のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを量産する。
露光装置などの製造設備を大きく変更しなくても３２ナノから２０ナノ台に微細化できる見通しをつけた。
２０ナノ台移行に当たり、四日市工場（三重県四日市）第４工場棟のウエハー処理能力を最大の月産約２１万枚に高めることを検討する。
微細化技術でリードを保ち、シェア首位の韓国サムスン電子に対抗する。
東芝とサンディスクは四日市工場を合弁で運営しており、７月から最新の３２ナノ品の量産を開始。
急ピッチで４３ナノ品からの切り替えを進め、０９年度末に３２ナノ比率を６５％に高める。
微細化で同一ウエハーから取れるチップ数が増え、コスト競争力が増す。
競合のサムスン電子は米テキサス州の工場で３０ナノ台のＮＡＮＤ型フラッシュを増産する方針を打ち出した。
Souce(日刊工業新聞新聞）
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