09/09/18 11:37:35 F7oY2Siw
フラッシュメモリってＤＲＡＭのコンデンサー構造が放電しないように
絶縁構造を持っただけのメモリ、
つまり製造ルールが細かくなるほど蓄える電荷が少なくなる。
また絶縁膜も薄くなり電荷が流れ出す原因となる。
細かくするほど蓄えた電荷を読み出すときにエラーとなる可能性が
あがる。そは使い始めではそれほど問題にはならないが
書き換え回数が増えるとほど書き込みのときに劣化する絶縁膜が
薄い為にさらに絶縁性能が減る。
少ない電荷と保持する絶縁膜が薄いとうい両方が重なり製造ルールを
上げるのには限界があるってこと。
エラー率をごまかす為に、エラーになったときに置き換えする代替の
記憶量を沢山容易することでそれをごまかしている。またエラー補正の
ビット数を増やし見かけのエラー率を減らしている。
原理を知っていれば、将来ないのは当然だろ。
３次元積層構造のフラッシュメモリまだ？
３次元積層で３２素子を垂直に重ねるのは量産不可能なの？
もう量産出来ていい時期だよ。