09/09/18 11:14:30
東芝と米サンディスクは２０１０年後半から回路線幅２０ナノメートル（ナノは１０億分の１）台のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを量産する。
露光装置などの製造設備を大きく変更しなくても３２ナノから２０ナノ台に微細化できる見通しをつけた。
２０ナノ台移行に当たり、四日市工場（三重県四日市）第４工場棟のウエハー処理能力を最大の月産約２１万枚に高めることを検討する。
微細化技術でリードを保ち、シェア首位の韓国サムスン電子に対抗する。
東芝とサンディスクは四日市工場を合弁で運営しており、７月から最新の３２ナノ品の量産を開始。
急ピッチで４３ナノ品からの切り替えを進め、０９年度末に３２ナノ比率を６５％に高める。
微細化で同一ウエハーから取れるチップ数が増え、コスト競争力が増す。
競合のサムスン電子は米テキサス州の工場で３０ナノ台のＮＡＮＤ型フラッシュを増産する方針を打ち出した。
Souce(日刊工業新聞新聞）
URLﾘﾝｸ(www.nikkan.co.jp)
2:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:15:12 DdfXvbU0
iPodnanoに積むのか
3:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:16:51 7pjI0GYC
これってどうナノ？
4:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:17:17 zgW3g5wP
で？どう違うの？
5:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:17:26 HNYa+svf
次は三次元セル積層。
6:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:19:12 XN8NxMSB
インテルに特許で訴えられ負ける予感がする
7:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:19:28 pOhK2aTB
でもお高いと売れませんよ？お幾ら？？
8:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:21:45 UtFTurNZ
ナノの次はデカメートルになる件について。
9:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:21:55 Uz7HTtl4
>>3
そのコメントなんナノ
10:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:23:53 nDoqAgDu
>>9
そんな事を聞く方がどうナノ？
11:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:24:41 x4ZoaZAN
これは早い
12:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:25:32 liXO+FM1
サム涙目
13:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:26:56 BQ8eaPvS
また出す出す詐欺？
14:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:28:50 nDoqAgDu
>>13
それってどこのサムスン？
15:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:29:36 b/g+tv4N
３０ナノ"台"って確か、かの国が大好きな「実質」ってやつか？
16:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:30:32 k6WOK+Ch
20nにシュリンクしたせいで
書き込み回数が格段に下がったりして・・・
17:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:33:18 7ZaBUiXP
来年の話をすると鬼が笑うって思ったけど・・・20nmかｗ
すげえなそんな微細加工できる時代なんだなｗ
18:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:37:35 F7oY2Siw
フラッシュメモリってＤＲＡＭのコンデンサー構造が放電しないように
絶縁構造を持っただけのメモリ、
つまり製造ルールが細かくなるほど蓄える電荷が少なくなる。
また絶縁膜も薄くなり電荷が流れ出す原因となる。
細かくするほど蓄えた電荷を読み出すときにエラーとなる可能性が
あがる。そは使い始めではそれほど問題にはならないが
書き換え回数が増えるとほど書き込みのときに劣化する絶縁膜が
薄い為にさらに絶縁性能が減る。
少ない電荷と保持する絶縁膜が薄いとうい両方が重なり製造ルールを
上げるのには限界があるってこと。
エラー率をごまかす為に、エラーになったときに置き換えする代替の
記憶量を沢山容易することでそれをごまかしている。またエラー補正の
ビット数を増やし見かけのエラー率を減らしている。
原理を知っていれば、将来ないのは当然だろ。
３次元積層構造のフラッシュメモリまだ？
３次元積層で３２素子を垂直に重ねるのは量産不可能なの？
もう量産出来ていい時期だよ。
19:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:39:18 F7oY2Siw
>>16
フラッシュメモリ素子の書き込み回数はＳＳＤなどの分散書き込みで減らせる。
ただ容量を全部埋めるような使い方では逆効果になることもあるが。
20:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:43:44 HNYa+svf
>>18
2012年だ。
日経マイクロデバイス８月号に記事がある。
クレジットカードが有れば、計800円で当該記事が見れる。
URLﾘﾝｸ(bizboard.nikkeibp.co.jp)
URLﾘﾝｸ(bizboard.nikkeibp.co.jp)
21:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:45:06 F7oY2Siw
20nmでCPUとかGPU作れば凄い高性能なんだろうな。
いまやっと45nmだし
特に省エネで。
22:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:53:28 dHXE2reM
(´Å｀）
↑のÅはオングストロームといって 1Å=0.1nm
原子の大きさがだいたい1Åとかそれくらい。
23:名刺は切らしておりまして
09/09/18 11:58:21 UK+6F40U
>>21 低速だからシュリンクできるんだよ。
24:名刺は切らしておりまして
09/09/18 12:01:48 x4ZoaZAN
>>23
スピードが理由ではない。
NANDフラッシュの回路がCPUなどに比べて
直線が多く単純で、微細化しやすい。
25:名刺は切らしておりまして
09/09/18 20:29:01 YK02S7G9
チキンレース的に生産設備を増強するより、微細化に注力してダイ面積を縮小したほうがいいもんな
バカ高い露光装置を流用できるならなおさらだ
26:名刺は切らしておりまして
09/09/18 23:00:20 Sfayufei
>>18
何とんちんかんなこと言ってるんだ？
27:名刺は切らしておりまして
09/09/18 23:09:48 KoCPxe5u
トンネル酸化膜の面積が小さくなるから劣化は早い
28:名刺は切らしておりまして
09/09/18 23:11:06 KoCPxe5u
とんちんかんは お前だ 馬鹿は消えろ
29:名刺は切らしておりまして
09/09/18 23:13:11 58/Bqvzx
とりあえずＳＳＤの値段がまた下がる
良いことだ
30:名刺は切らしておりまして
09/09/18 23:19:42 KoCPxe5u
安くなって 壊れ安くなる
31:名刺は切らしておりまして
09/09/18 23:20:42 DyrXCxd7
ネトウヨはあんまり喜ぶな。
逆法則が発動してシャープみたいになる。
32:名刺は切らしておりまして
09/09/18 23:24:27 NMIjZCsL
>>18
もう量産試作品は発表してるよ。
64セルまで掘り下げる生産工程確立がもうすぐ出来るからそれからかな。
33:名刺は切らしておりまして
09/09/18 23:24:48 wBfBLTg+
NANDって何？南戸って読むの？
34:名刺は切らしておりまして
09/09/18 23:25:42 nmXj595f
まあ微細回路技術も、焼き付ける電磁波（紫外線）の波長以下にする事が出来ねーから、もう
限界点に近づいてるんだけどね。 てか回路自体も原子数個分の厚さしかもうないんだし、
物理的な限界に近づいているお。 これからは立体回路であるとか、積層させるとか今までとは
違ったブレイクスルーが必要になってくるだろうな。
35:名刺は切らしておりまして
09/09/18 23:57:22 u76MsQIR
限界限界いいながら突破してきたのが半導体産業なんだよね。
つか奴らは限界って言いすぎ。
25nmはEUVしかねーとか言ってたくせに
まだまだ、EUV使わずに行くようだな。
36:名刺は切らしておりまして
09/09/19 00:01:37 daFpcgUg
3次元構造NANDの試作品はこれね
URLﾘﾝｸ(pc.watch.impress.co.jp)
37:名刺は切らしておりまして
09/09/19 00:04:00 kv1MpRdj
>>21
ロジックも32までは下がってきたよ。
38:名刺は切らしておりまして
09/09/19 00:05:29 kv1MpRdj
>>33
韓国語の発音は粘土。
ﾈﾝﾄﾞﾌﾟﾚｯｼ 最初意味がわからんかった。w
39:名刺は切らしておりまして
09/09/19 00:34:57 NPiOKNyk
シリコン原子の、原子間距離が0.234nmだから原子100個分なの？
凄いなあ。
40:名刺は切らしておりまして
09/09/19 17:49:51 CK1VRoev
>>39
そうだよ。だから、20nm世代で微細化は頭打ちだと言われている。
41:名刺は切らしておりまして
09/09/19 21:31:49 XE3KJAt+
つぎはハンコだよ
リソって工程が言葉通りの工程になる。
ハンコで印刷
次世代のリソ
42:名刺は切らしておりまして
09/09/21 15:02:21 a16/4ggB
そろそろ3D商品化しろよ
微細化もいろいろ問題あるでそ。
43:名刺は切らしておりまして
09/09/21 15:07:29 rICOhTWg
>>42
それはリソでのことか？
44:名刺は切らしておりまして
09/09/21 15:20:47 mTm4YC+m
いつまで東芝先頭取れるのかなあ
もうすぐルネサスが追いついてくるのでは
45:名刺は切らしておりまして
09/09/21 16:01:08 FEdtlfE1
>>42
そっちの方がもっと問題あるじゃん。
46:名刺は切らしておりまして
09/09/21 16:02:51 FEdtlfE1
>>44
金ないし、やる気もなし。
47:名刺は切らしておりまして
09/09/21 21:39:24 EAH6DFsH
SDカードの値段もますます下がってくれそうナノ?
48:名刺は切らしておりまして
09/09/21 22:12:36 2I9+BKkF
>>47
微細化が頭打ちしているから、期待するな。
49:名刺は切らしておりまして
09/09/22 10:50:35 2y//8UZF
微細加工で過去の開発スピードが今後続くと思ってるアホガ居るわけか。
原子と同じサイズまたはそれ以下の加工なんか無理なのわかんねーんだ。
量子のエネルギーをコントロールできる技量があるわけじゃねーし。
絶縁膜も大容量の多数回の書き込みに耐えるわけね。
50:名刺は切らしておりまして
09/09/22 11:05:32 y8tnRogw
微細化は20nmまでが限界で、次世代は3次元構造だってことね
早ければ2011年後半には量産化にこぎつけるんじゃないか
51:名刺は切らしておりまして
09/09/22 11:25:58 N4eHUWfC
>>50
分かってないな。3次元構造は、加工技術に無理がある。
今のやり方の、普通に作って複数枚積む方が安いんだよ。
縦方向に積み上げると、PEP数が激増するくらい分かるだろ。
52:名刺は切らしておりまして
09/09/22 12:27:12 s4RlC+fA
>>51
同じ工程を層数分積み重ねると思い込んでないかい？
例えば東芝は積層したあとに一気に柱を突き刺す方式を考えている
53:名刺は切らしておりまして
09/09/22 12:37:23 1q9Q9VYM
>>52
意味不明。技術を理解して言っている？
54:名刺は切らしておりまして
09/09/22 14:21:46 e5N41RqF
>>52がTSVのことを言おうとしてるのはわかるが、
全然>>51に対する議論にはなってないな。
三次元半導体と三次元実装技術がごっちゃだ
55:名刺は切らしておりまして
09/09/22 17:09:58 fDBz0cIU
>>54
>>52が言おうとしているのは、TSVじゃないよ。
>>20とか>>36に書いてあるよ。
>>51
複数のチップを積層していたのでは、前工程のコストは下がらない。
128Gbのチップを製造する位の微細化技術で、Tビット級を狙う。
CVDとかの工程は増えるけど、PEP数はそんな増えないでしょ。
全体としてみれば、8チップ1Tbitと1チップ1Tbitどちらが有利かは明白。
もちろんできればだけどね。
TSVにしろ単純なチップ積層にしろ3D実装って、Siの3D化に比べてコスト上昇を必ず伴うのでできれば避けたい技術じゃない？
56:名刺は切らしておりまして
09/09/22 18:02:18 KmjZisWq
>>51,53,54
これを見れば理解しやすいと思う
３次元構造を採用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリの新技術を開発
URLﾘﾝｸ(www.toshiba.co.jp)
57:名刺は切らしておりまして
09/09/22 20:57:06 vRpoWqsP
>>56
だから、もしも3次元技術がコストパフーマンス的にやる価値があって実現可能であるならば、
20nmなんてやらずに、今現在量産しているよ。
半導体においてのコスト競争が厳しいのは、理解しているでしょ。
PEP数が増えると言う意味が分かっていないのじゃないかな。
簡単に縦方向にコンタクトを開けると言っているけど、加工技術としての難易度を理解しているかい？
58:名刺は切らしておりまして
09/09/23 04:43:50 FGuPszsZ
>>57
微細化が限界に近づいているから、それをブレークスルーするものとして開発しているのに何勘違いしたこと言ってるの？
3次元技術がコストパフーマンス的にやる価値があって実現可能と考えているからこそ、東芝にしろサムスンにしろ真剣にこの技術を検討しているんだろ。
それと3次元積層技術と微細化が背反するものではない。
3D化が間に合わなければ、2xnmで量産化が早いかもしれない。
でも各社とも、ReRAMで1xnm3次元積層とかもっと先のことを考えている。
59:名刺は切らしておりまして
09/09/23 09:36:19 8PpiW0ei
>>58
3次元積層技術と微細化は、思いっきり相反する関係にある。
微細化するほど、3次元化は難しくなる。大体、微細化したときは
縦方向に逃げてきたことを分かっている？
それから、ReRAMは未だに動作原理が明らかになっていないんだよ。
威張って言えるような状況ではないでしょ。
自分の会社がやっていることなら、きちんと技術を把握してからコメントしてくれよ。
60:名刺は切らしておりまして
09/09/23 09:56:22 8PpiW0ei
本当にうぶな奴が多いな。
半導体メーカーの言っていることが、全て実現可能であれば
今頃は、FRAMやMRAMが、DRAMやフラッシュを置き換えているはずじゃん。
筋の悪い技術はどんなに頑張っても駄目なんだよ。
61:名刺は切らしておりまして
09/09/23 10:23:49 pBgCym/F
>>28
製造オペレーターはゴミ検でもやってろよ
62:名刺は切らしておりまして
09/09/23 11:00:16 WU81LLix
開発は常に東芝が先行してるね
三星の情報ドロボウには注意しなくちゃ
63:名刺は切らしておりまして
09/09/23 11:04:24 qKvEHlNW
>>62
おまえは東芝を応援してるんじゃなくて
韓国が嫌いだからその韓国が嫌いっていう感情の発露として東芝を応援してるだけだろうが
韓国が絡んでなかったら東芝なんて絶対に応援しないくせに
64:名刺は切らしておりまして
09/09/23 12:50:34 7nlssdC9
半導体関連スレにはケンカ腰なやつが多いな
なぜもっと普通に議論ができないんだ
65:名刺は切らしておりまして
09/09/23 16:26:49 R6Qkyuox
>>57
製造技術絶賛開発中なのに作ってないのはおかしいって阿呆ですか？
とりあえず、東芝とサムスンは三次元セル積層を本気で開発中だ。
すぐでてこないのはおかしいって馬鹿かてめえは。
66:名刺は切らしておりまして
09/09/23 19:21:07 QchTYuvz
>>65
3次元セルを開発したとのプレスリリースが出てから2年以上経っているのに、
未だに量産化の目処がたっていない現状をなんと考えられますか？
本気であれば、こんなに時間はかかりますまい。
縦積みすることによる加工コストが、集積度に見合わず、従来型と比べて
コスト的なメリットが少ないと考えるが、いかが？
67:名刺は切らしておりまして
09/09/23 19:40:32 rtWSvaLN
昨日のGigazineの東芝製ＳＳＤの記事読んでふらふらしてたらここに迷い込んだんだけど
お前らの言ってることはどんなことを勉強するとわかるようになるのん？
68:名刺は切らしておりまして
09/09/25 08:43:42 frBCA4nv
2007年時点の東芝NANDのロードマップ
URLﾘﾝｸ(hiroshicom.blog.so-net.ne.jp)
2年前から3次元積層は2012年以降という感じですね。
69:名刺は切らしておりまして
09/09/25 20:12:35 QrDlJukd
>>50
>今のやり方の、普通に作って複数枚積む方が安いんだよ。
>縦方向に積み上げると、PEP数が激増するくらい分かるだろ。
PEP数って何？ リソ工程数？
70:名刺は切らしておりまして
09/09/25 20:53:48 45IvDg7h
>>69
PEP(Photo-Engraving-Process)
成膜、レジスト塗布、露光、現像、はく離などの工程
東芝用語ではないはず。
71:名刺は切らしておりまして
09/09/26 07:17:01 6b/B8Q4r
>>70
それはTSBの造語だお
72:名刺は切らしておりまして
09/09/26 08:06:08 LP6tJwTs
これでiPod classicが消えそうだな
iPod touch 128GBでいくらだろうか