09/08/13 15:43:28
ソースはギガジン
URLﾘﾝｸ(gigazine.net)
ntelとMicronがSSDなどのフラッシュメモリ製品の記録容量を大きく引き上げる技術を
開発したことを明らかにしました。
この技術を利用することで、SSDのコストパフォーマンスが改善することにもなりそうです。
詳細は以下から。
Intel, Micron Achieve Industry’s Most Efficient NAND Product Using 3-Bit-Per-Cell Technology
URLﾘﾝｸ(www.businesswire.com)
この記事によると、IntelとMicronの2社は共同でフラッシュメモリを大容量化する技術を
開発したことを発表したそうです。
新たに開発された技術はフラッシュメモリのセルに1ビットのデータを記録するのではなく、
複数のデータを記録できるMLC（マルチレベルセル）方式の技術を発展させたもので、
従来は1つのセルに2ビットのデータを記録していたところに、3ビットのデータを記録
できるようになるというもの。
これが新たに開発されたフラッシュメモリ
URLﾘﾝｸ(gigazine.jp)
この技術により従来の1.5倍の高密度でデータを記録できるようになるため、コスト
パフォーマンスが飛躍的に向上することが見込まれており、さらに今後フラッシュメモリの
製造プロセスを現行の34ナノメートルのものから20ナノメートル台にまで微細化することで、
製造コストや消費電力が下がるほか、同じ面積でより多くのチップを搭載できるように
なるため、将来的には高いコストパフォーマンスと大容量を兼ね備えたSSDが登場すると
いうことのようです。
-以上です-
依頼を受けてたてました。