18/10/18 13:22:04.72 dHZ0VfUmd.net
Samsung、EUV 7nm LPPの開発が完了。ArF液浸露光から大幅コストダウン
URLﾘﾝｸ(pc.watch.impress.co.jp)
EUV露光を採用した7nm LPPの製造技術の開発が完了し、同技術による半導体の生産を開始したと発表。
10nm FinFETと比較した場合に、最大で20%の性能向上、50%の省電力化、40%の面積効率向上がもたらされるとしている。
18/10/18 13:22:04.72 dHZ0VfUmd.net
Samsung、EUV 7nm LPPの開発が完了。ArF液浸露光から大幅コストダウン
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EUV露光を採用した7nm LPPの製造技術の開発が完了し、同技術による半導体の生産を開始したと発表。
10nm FinFETと比較した場合に、最大で20%の性能向上、50%の省電力化、40%の面積効率向上がもたらされるとしている。