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直径1nmの半導体ナノチューブの合成に成功、東大ら
■窒化ホウ素ナノチューブの内部空間を利用し結晶成長を制限
東京大学大学院新領域創成科学研究科の中西勇介准教授らによる研究チームは2026年6月、直径1nmという極めて細い二硫化モリブデン(MoS2)の半導体ナノチューブを合成することに成功したと発表した。
GAA型トランジスタのチャネル材料として期待される。
(以下略、続きはソースでご確認ください)
[馬本隆綱,EE Times Japan] 2026年06月30日 13時30分
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