原子1個分の隙間が次世代半導体開発の障壁に [すらいむ★]at SCIENCEPLUS
原子1個分の隙間が次世代半導体開発の障壁に [すらいむ★] - 暇つぶし2ch1:すらいむ ★
26/05/12 23:11:47.98 1kKXSI0T.net
原子1個分の隙間が次世代半導体開発の障壁に

 ウィーン工科大学の研究で、次世代の超小型コンピューターチップに使う材料として期待されている二次元材料が、実際のデバイスでは思わぬ制約を受ける可能性があることが明らかになりました。
 問題となるのは、材料と絶縁層の間にできる原子レベルの隙間で、その大きさは約0.14ナノメートルと極めて小さいものの、半導体デバイスのさらなる小型化を妨げる要因になり得るとのことです。

 Device-scaling constraints imposed by the van der Waals gap formed in two-dimensional materials | Science
 URLリンク(www.science.org)

(以下略、続きはソースでご確認ください)

Gigazine 2026年05月12日 07時00分
URLリンク(gigazine.net)


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