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NTTがDRAMセルの熱とエントロピーを電子単位で同時測定する手法を開発、超低消費電力メモリの実現に期待
NTTは4月23日、室温で動作するDRAMセルにおいて、熱とエントロピーを電子1個単位で同時に測定することに成功したと発表した。
電子数の変化を単電子スケールで検出可能なNTT独自のナノメートルスケール電子デバイスを用いることで、これまで評価が困難だった実用メモリ素子における情報処理の熱力学的特性を直接測定することを可能にした。
同成果はNTT物性科学基礎研究所の清水貴勢氏、知田健作氏、山端元音氏、西口克彦氏らによるもの。
詳細は2026年3月20日に、米国学術誌「Physical Review Letters」に掲載された。
（以下略、続きはソースでご確認ください）
マイナビニュース 2026/04/23 15:16
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