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世界最高レベルの圧電係数実現…大阪公立大など、半導体基板上で非鉛圧電体の性能向上
大阪公立大学の吉村武准教授とセーンサワーン・アパイウォン大学院生（研究当時）らは、大阪産業技術研究所と共同で、半導体基板上で非鉛圧電体の性能を向上させることに成功した。
独自の成膜技術を開発し、引っ張りひずみを利用することで、ビスマス鉄酸化物（BFO）において世界最高レベルの圧電係数を実現した。
実際に超小型振動発電デバイスを試作し、約5倍の性能向上を実証した。
スマートセンサーなどへの応用が見込まれ、環境負荷の少ない非鉛材料の実用化が進むと期待される。
（以下略、続きはソースでご確認ください）
ニュースイッチ 3/29(日) 16:10
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