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2次元半導体の基盤技術に..物材機構と東大、二硫化モリブデンの単層単結晶膜を形成
物質・材料研究機構（NIMS）の佐久間芳樹NIMS特別研究員と東京大学の長汐晃輔教授らは、二硫化モリブデン（MoS2）の単層単結晶の成膜技術を開発した。
2インチウエハーの全域に均一な膜を作れる。
二硫化モリブデンはサブ1ナノ世代の2次元半導体の材料になる。
トランジスタを作製したところ高い移動度を確認した。
2次元半導体の基盤技術になる可能性がある。
（以下略、続きはソースでご確認ください）
ニュースイッチ 1/26(月) 16:10
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