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シリコン中の水素が自由電子を生成
パワー半導体の電力損失を低減できる仕組みを解明
■ダイヤモンドなどの半導体材料にも適用できる可能性を示す
三菱電機と東京科学大学、筑波大学および、Quemixは2026年1月、シリコンに注入した水素が、自由電子を生成する仕組みを解明したと発表した。
これによって、IGBTなどシリコンパワー半導体デバイスの電子濃度を高度に制御し構造設計や製造方法を最適化できれば、電力損失を低減することが可能になる。
IGBTなどでは電力変換の効率を高めるため、シリコンに水素イオンを注入して電子濃度を制御する技術が用いられている。
ところが、その原理については解明されてこなかった。
三菱電機と筑波大学はこれまで、シリコン中に形成された特定の欠陥（格子間シリコン対）が水素と結合することによって、複合欠陥が形成されることを発見してきた。
ただ、その過程において自由電子が新たに生成される理由は明らかになっていなかった。
（以下略、続きはソースでご確認ください）
[馬本隆綱，EE Times Japan] 2026年01月16日 15時30分
URLﾘﾝｸ(eetimes.itmedia.co.jp)