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東工大、水素と触媒反応を活用して低接触抵抗「IGZO-TFT」の開発に成功
東京工業大学(東工大)は4月4日、アモルファス酸化物半導体「InGaZnOx」(IGZO)のトランジスタである「IGZO-TFT」の電極に触媒金属を用いることで、電極界面が選択的に還元されることを見出し、同トランジスタの安定性を維持したまま接触抵抗を約3桁低減させることに成功したと発表した。
同成果は、東工大 国際先駆研究機構 元素戦略MDX研究センターの辻昌武特任助教、同・Shi Yuhao大学院生、同・細野秀雄特命教授らの研究チームによるもの。
詳細は、米国化学会が刊行するナノサイエンス/テクノロジーに関する全般を扱う学術誌「ACS Nano」に掲載された。
（以下略、続きはソースでご確認ください）
マイナビニュース 2024/04/08 13:07
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論文
Approach to Low Contact Resistance Formation on Buried Interface in Oxide Thin-Film Transistors: Utilization of Palladium-Mediated Hydrogen Pathway
URLﾘﾝｸ(pubs.acs.org)