22/06/30 14:44:36 CAP_USER.net
→ＧＡＡ構造のトランジスタ採用、５ｎｍから性能23％向上
→半導体受託生産でトップのＴＳＭＣ追撃に弾み
韓国のサムスン電子は30日、３ナノメートル（ｎｍ）半導体の量産を開始したと発表した。最先端の半導体製造を競い合う台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）に先行した。
サムスンの資料によれば、同社の３ｎｍ製品はいわゆる「全周ゲート型（ＧＡＡ）」構造のトランジスタを採用することで、５ｎｍ半導体と比べ電力消費を最大45％減らし、性能を23％向上させた。
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サムスン電子の３ｎｍ半導体Source: Samsung Electronics Co.
サムスンにとって他社に先駆け３ｎｍ半導体を市場投入することは、半導体ファウンドリー（受託生産）最大手のＴＳＭＣを追撃する上で極めて重要な意味を持つ。
ＴＳＭＣの半導体ファウンドリー市場シェアは５割を超え、米アップルが独自開発したプロセッサー、いわゆる「アップルシリコン」を独占供給。「ｉＰｈｏｎｅ（アイフォーン）」「ｉＰａｄ（アイパッド）」「Ｍａｃ（マック）」でこうしたプロセッサーが使われている。
ＴＳＭＣは今年７－12月（下期）に３ｎｍ半導体の量産を開始すると発表している。サムスンは韓国京畿道華城市の工場で３ｎｍ半導体を生産し、後に平沢市の最新施設でも製造する計画。
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サムスン電子の生産施設（華城市）Photographer: SeongJoon Cho/Bloomberg
原題：Samsung Is First to Start Mass Production of