【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」 [少考さん★]at BIZPLUS
【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」 [少考さん★]
- 暇つぶし2ch97:名刺は切らしておりまして
21/12/16 23:56:06.18 4DhQT1tP.net
>>92
今のメモリーとかって、トランジスターを微細化したものなの?
よくわからないけど・・
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