【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表　「スマホの充電は週1に」 [少考さん★]at BIZPLUS

---

28:名刺は切らしておりまして
21/12/16 15:58:47.44 N51hM4+l.net
動画を見てわかったけど、青いところがGらしい
自分の知識ではGはチャネルの横に取り付いて制御するものだと思っていたけど
SとDの間に挟みこんでもFETとして機能するらしい

---

次ページ

続きを表示

1を表示

最新レス表示

レスジャンプ

類似スレ一覧

スレッドの検索

話題のニュース

おまかせリスト

オプション

しおりを挟む

スレッドに書込

スレッドの一覧

暇つぶし2ch