【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表　「スマホの充電は週1に」 [少考さん★]

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【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表　「スマホの充電は週1に」 [少考さん★] - 暇つぶし2ch206:名刺は切らしておりまして
21/12/20 15:51:11.52 lv/RLbWX.net
>>171
東芝でフラッシュメモリを発明した舛岡先生は
中東から資金援助を受けたベンチャーで
かれこれ20年近く前から
垂直型のゲートオールアラウンドの開発をやっている。
しこたま特許を抑えているはず。

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