【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表　「スマホの充電は週1に」 [少考さん★]

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【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表　「スマホの充電は週1に」 [少考さん★] - 暇つぶし2ch171:名刺は切らしておりまして
21/12/18 12:16:11.90 pZ+t686r.net
パクリもなにも、IntelのアレもIBM-Smsungのコレも
30年前のマルチゲート構造の延長線上で新味がない
デバイスのマンガだけなら20年前にもあった

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