【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」 [少考さん★]at BIZPLUS
【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」 [少考さん★]
- 暇つぶし2ch102:名刺は切らしておりまして
21/12/17 00:01:17.06 6mG9DlTh.net
>>97
SDカードなんかのフラッシュメモリはそうですよ
DRAMは液晶ディスプレイと同じくトランジスタとコンデンサのアレイになっていますが
トランジスタではないメモリもありますが主流の商品ではないですね
次ページ続きを表示1を表示最新レス表示レスジャンプ類似スレ一覧スレッドの検索話題のニュースおまかせリストオプションしおりを挟むスレッドに書込スレッドの一覧暇つぶし2ch