14/06/19 07:33:56.03 2i3KQo3W
お前らの変態書き込みも未来永劫残って子々孫々が笑ってバカにするだろうなｗ
36:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 07:37:37.63 73iHjsiF
便利な時代に成ったもんだよな
俺の若い頃は数百枚のフロッピーデスク管理で、てんやわんやしたもんだ...
37:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 07:50:11.52 2i3KQo3W
今から１０００年前の１０１４年は平安時代かｗ
この時代の生活が高解像度で残ってたら凄いなｗ
38:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 07:56:55.84 WlbfojKf
２５６ｋｂの8インチがなつかしい
なにもかもなつかしい
39:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 08:14:58.06 ws0eCyHr
SSDの壊れやすさに失望
40:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 08:33:52.94 TaxdWC6g
中大ってどこだよと思った
41:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 09:29:12.33 BsBtpR7R
まあ石と和紙と墨のように実績あるもののほうが後代に残ってるのかもねぇ
ただ１千年前の文書も少なからず写本で補完するわけで
データが媒体ごと千年持たすのでは無く定期的に更新ってのが王道って個人的には思うがね
>>32
それぞれ 中部大 中京 中大
中央大学が先に出来たからそっちの略称と被らないよう後続が工夫したんじゃないかと
この辺りは高速のICや駅名で名前が被らないように後に出来たのが遠州とか安芸とか追加するのと同系統の考えでしょうね
42:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 09:40:59.98 ltxsly/4
交換のタイミングを適切に通知してくれたら、それでいいよ
43:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 15:17:08.58 uWJnlo41
更に寿命を犠牲にして容量増やせるニダ
44:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 15:25:38.66 3zxRvHG1
>>32
東大だって東京、東海、東邦などあるだろ
45:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 15:27:33.97 ku7GqpXK
どんな文化財もたいてい火事で消える
よって火事で消えない石版こそが1000年残る唯一の記憶媒体
46:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 15:28:42.61 y107hZ72
>>45
だが、熱により割れることは良くある
47:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 15:34:59.60 3zxRvHG1
2014/06/16
中央大、1000年先までデータ保存 半導体メモリー新方式
URLﾘﾝｸ(www.nikkei.com)
100年以上の長期記憶が可能なSSD技術、中央大が開発
URLﾘﾝｸ(www.rbbtoday.com)
2014/05/21
中央大がＳＳＤ高速化技術、書き込み速度４倍に
URLﾘﾝｸ(www.nikkei.com)
現行SSDに即適用可能な4倍高速化・60％省エネ化の技術を中央大学研究者が開発
URLﾘﾝｸ(gigazine.net)
2014年06月12日
1000億回書き換えも可能なフラッシュメモリや不揮発性メインメモリも将来的には
中央大学、カーボンナノチューブ半導体メモリの基本動作を実証
URLﾘﾝｸ(ascii.jp)
中央大学は6月12日、カーボンナノチューブを使った半導体メモリ「NRAM」の研究を進め、
高速・低電力・大容量・高信頼な基本動作を実証したと発表した。
NRAM(ナノチューブランダムアクセスメモリ)素子は、電極間に浮遊するカーボンナノチューブを
静電力によって電極に接触させ通電、電気抵抗によってビットを記録する可変抵抗式メモリ。
電流を切ってもカーボンナノチューブの状態は変わらないのでフラッシュメモリのような
不揮発メモリとして利用でき、カーボンナノチューブの導電性はナノサイズでは銅線より
高いため省電力も期待できる。
今回の実証は140ナノメートルという半導体素子としては大きなサイズで、しかも単体の素子を
測定した結果であるため、半導体メモリ製品の開発としては非常に初期段階ではあるものの、
NRAMはフラッシュメモリのみならずDRAMやSSDなど主流ストレージデバイスとして可能性が
あることを示しているという。
中央大と米ナンテロ、ＣＮＴで半導体メモリー開発－基本動作を実証
URLﾘﾝｸ(www.nikkan.co.jp)
48:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 15:41:22.24 P/UG+l7Q
SSDはHDDと違って可動部が無いから壊れないもんだと思ってた
49:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 15:46:58.34 zOcyeRVy
エロ画もいつか消えてしまうん
50:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 15:47:29.18 0+lsJsS0
つい最近ＳＳＤが突然死したオレが来ましたよ
51:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 15:48:39.73 3zxRvHG1
飛躍的にエラーを削減するＳＳＤメモリの開発に成功
－世界最速・毎秒１２ギガビットの非接触インタフェースも実現－
URLﾘﾝｸ(www.jst.go.jp)
2012/06/24
【技術】性能11倍、電力93％減、寿命7倍のハイブリッドSSD技術を中央大学の竹内教授らが開発 ReRAMをキャッシュ兼仕分け場に
ｽﾚﾘﾝｸ(scienceplus板)
52:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 15:52:15.31 3zxRvHG1
2014/6/17
中央大、1000年先までデータ保存 半導体メモリー新方式
URLﾘﾝｸ(www.nikkei.com)
URLﾘﾝｸ(blog.goo.ne.jp)
53:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 18:01:17.17 oiTRmu6q
尻毛バーガーみたいに拡散しちゃった恥ずかし画像も風化せず1000年立っても残るようになるんですね
54:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 18:35:29.65 /QeZ1Jgf
>今回の研究では、長期
>保存に向けて3ビット(8値)セルのうち、7個の状態に記憶する手法であるnLCセル方式を提案した。同技術により、
>メモリのエラーを80%低減し、100年、1000年といった長期の記憶に対して、大容量と高い信頼性を両立させる可
>能性を示した。実験では約1年の実測結果から、100年後、1000年後のメモリの不良率を予測したという。また、
>企業向けサーバのような、データを頻繁に書き換える応用製品に対しても、適応制御型の信号変調方法を提案し、
>メモリのエラーを50%削減することに成功したとしている。
中身空っぽなのに「1000年記憶を目指す」と言ってみただけじゃん
くだらねー話でスレ立てるなよ
55:名無しのひみつ＠転載は禁止
14/06/19 18:47:00.57 DWN9EqFi
NANDフラッシュメモリはそろそろ微細化の限界（容量の限界）が近付いている
なので、今後は相変化メモリなどの不揮発性メモリに移行するのが確実視されている
この技術も10年後には意味の無いものに…