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中大、データの1000年記憶を目指してSSDのエラーを80%低減する技術を開発 2014/06/13
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中央大学(中大)は6月13日、データの長期保存を目指して、フラッシュメモリを記憶媒体とするSSDのエラーを8
0%低減する技術を開発したと発表した。
同成果は、同大 理工学部の竹内健教授によるもの。詳細は、6月10～12日(現地時間)にハワイにて開催される
「2014 VLSI Technology シンポジウム」で発表される。
インターネットの発達で音楽、映像、文書などのデジタルデータが急増している。しかし、データを100年、10
00年先まで長期保存するメモリ技術は確立されていない。従来は1つのメモリセルに記憶する状態の数を増加さ
せると信頼性が劣化し、信頼性を確保するには強力な誤り訂正回路が必要だった。しかし、誤り訂正システムを
強化すると、冗長なメモリ領域が必要になり、コストが増大しまうという問題があった。今回の研究では、長期
保存に向けて3ビット(8値)セルのうち、7個の状態に記憶する手法であるnLCセル方式を提案した。同技術により、
メモリのエラーを80%低減し、100年、1000年といった長期の記憶に対して、大容量と高い信頼性を両立させる可
能性を示した。実験では約1年の実測結果から、100年後、1000年後のメモリの不良率を予測したという。また、
企業向けサーバのような、データを頻繁に書き換える応用製品に対しても、適応制御型の信号変調方法を提案し、
メモリのエラーを50%削減することに成功したとしている。
これらの技術により、SSDはスマートフォンやPCだけでなく、企業向けサーバ、クラウドデータセンターや100年、
1000年といった長期にデータを保存するデジタルアーカイブなど幅広い分野への応用が期待されると説明してい
る。