12/11/18 18:21:36.04
コンピューターの情報処理に欠かせない「半導体メモリー」の容量を増やす新たな技術を、
北海道大の海住英生（かいじゅう・ひでお）助教（３５）らの研究チームが開発した。
記憶容量を現在の限界値より格段に増やせる可能性があるという。
半導体メモリーは、ノートの文字が小さいほど多くの情報が書き込めるように、
基板に回路を書き込む「メモリー線」が細いほど記憶容量が大きくなる。
現在は光を使って書き込まれ、パソコンなどでの線幅は３５?４５ナノメートル（ナノは１０億分の１）。
しかし「国際半導体技術ロードマップ」によると、今の技術で線幅を縮めても１０ナノメートル前後で
頭打ちとなり、記憶容量は２０２２年ごろに限界を迎えるため、代替技術が研究されている。
チームは、基板の材料としても使われるニッケルや金などの金属を、厚さ５?２０ナノメートルの
薄膜に加工。その膜の厚みをメモリー線として使い、書き込みに必要な電流の制御に成功。
理論上、書き込む密度を現状の約１０倍に増やせるという。
この技術では発熱の原因となる電気抵抗も１０００分の１以下に抑えられた。
海住助教は「より多くの情報を処理でき、省エネにもなる。実用化を目指したい」と話す。
（ニュースソース）毎日新聞
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