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エルピーダが64MビットReRAMを開発、2013年に8Gビット品を製品化
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開発したReRAM。4分割された領域のそれぞれが、64Mビットのメモリ・アレイ。
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エルピーダメモリは1月24日、今回の技術に関する報道機関向け説明会を開催した。
写真は、同技術について説明する、新メモリ開発担当の安達隆郎氏
エルピーダメモリは、次世代不揮発性メモリの一種であるReRAM（抵抗変化型
メモリ）を開発した（リリース）。64Mビットのセル・アレイを50nm世代技術で試作し、
全ビット動作を確認したという。ReRAMの商用化に向けた取り組みを既に始めており、
第1弾製品として「30nm世代の8Gビット品を2013年に市場投入したい。2014年には
本格的な量産に移れるだろう」（同社 取締役 執行役員の安達隆郎氏）とする。
同社はReRAMを、スマートフォンやタブレット端末、ノート・パソコンなどの「携帯機器
に向ける」（安達氏）という。当面は、こうした機器において、DRAMとNANDフラッシュ・
メモリの間の性能差を埋めるキャッシュ・メモリとしての用途を見込んでいるという。ゆく
ゆくは「DRAMを侵食するメモリになることを期待している。携帯機器では、（消費電力
の大きい）DRAMを少しでも減らして不揮発化したいという声が強いからだ」（同氏）。
ただし現時点では、SSDの高速化を求める、映像系の据え置き型機器の顧客からの
引き合いが強いとする。
今回開発したのは、Hf系酸化物ベースの抵抗変化素子を用いた、1T-1R型のRe
RAM。データ読み出し時間は20ns以下、書き換え回数は100万回以上であることを
確認したという。今後、Gビット級への大容量化に向けて、動作メカニズムの完全な
解明や、記憶素子の動作バラつきへの対策を進めていく。さらに、今回の試作品では
6F2セルを用いたが、量産品には4F2セルを導入し、セル面積を縮小するという。
DRAMの製造ラインでの量産が可能といい、量産段階でのビット・コストは「DRAMの
70％（DRAM比で30％低減）を狙う」（安達氏）とした。同社は次世代不揮発性メモリ
の候補をReRAMに絞っており、MRAM（磁気メモリ）やPRAM（相変化メモリ）の製品
開発は行っていないという。
今回の成果は、2010年に始動したNEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）
の委託事業におけるもの。シャープ、産業技術総合研究所、東京大学との共同開発
の成果である（Tech-On!関連記事）。
大下 淳一／日経エレクトロニクス 2012/01/25 10:31
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エルピーダメモリ株式会社プレスリリース 2012年1月24日
新メモリ（高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM）の開発に成功
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関連記事
エルピーダ，シャープなどがReRAMを共同開発，DRAMとNANDフラッシュ・メモリの性能差を埋める
大石 基之＝日経エレクトロニクス 2010/10/13 10:05
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