11/12/31 18:13:37.87 QCRo3s5Z
>>NANDフラッシュ・メモリでは競合関係にあるHynix社と、STT-MRAMの共同開発を手掛けることで合意した
東芝よ。昔DRAM生産で下朝鮮メーカーから何と言われて撤退したのか、もう忘れたのか？
それにもかかわらず、再び下朝鮮メーカーと手を組むか。
数年後には東芝はすべてのメモリー生産から撤退する羽目になっていると思ふ。
理由はノウハウを盗まれて、シェアも奪われて、研究開発資金すらもなくなってしまうのは
予測するまでもなく分かり切っている事ではないか。
23:名無しのひみつ
11/12/31 18:19:08.85 NhP2W6Gt
東芝さんがつおいのは知ってるが
そ、その取り巻きで大丈夫なのか？
24:名無しのひみつ
11/12/31 18:47:47.29 TXdd89qi
>>16
そりゃ金積まれればそっちに行くのが人間だろ
技術者をちゃんと評価せず低賃金のまま使ってきた日本企業の自業自得だよ
25:名無しのひみつ
11/12/31 19:09:45.87 HRGuHT7d
技術 盗まれるな！
言っても 後の祭りか
26:名無しのひみつ
11/12/31 20:11:40.00 xZQD31/k
面直磁化方式のSTT-MRAMをいち早くものにした東芝の技術には素直に感心するが、
それだけに国内で生産しないのはとても残念に思う
国内で生産しても他社と戦う事ができない今の状況をどうにかするしかないと思う
27:名無しのひみつ
11/12/31 21:52:14.25 KzDj8S6Y
>>20 MRAMの抵抗変化は２倍程度、PRAMは二桁、ReRAMは四桁。
ReRAMも良いのだが、微細な結晶構造に依存するのが心配。
抵抗変化が少ないと、NANDに直列に接続した場合の検出が困難になる、
だからMRAMはNANDにはしにくい、それで集積度が上げにくいのが欠点。
28:名無しのひみつ
12/01/03 17:51:55.25 zOHOndBE
モバイルに使用した場合に、外部磁場の影響でデータが飛んだりしないかが
心配。文房具の磁石、電気機器のトランス、スピーカー、など。
29:名無しのひみつ
12/01/03 18:22:34.25 D1ehCOmC
聞くたびに有望な次世代メモリ違うんだけど、今はMRAMってこと？
30:名無しのひみつ
12/01/03 18:23:32.07 EQE+JSRC
Flashは電荷で値を記憶する、微細化すると電荷が漏れ易くなり記憶を失う、
その点で、抵抗変化素子は、電荷が漏れても記憶を失うわけではないので、
今後の微細化にも強い。
31:名無しのひみつ
12/01/03 20:52:01.87 nBr1RA+l
もう ＣＰＵの高速化はいらんだろ
ＣＰＵとＧＰＵ、メインメモリ の一体化のあと ＧＰＵの高速化だけで十分
32:名無しのひみつ
12/01/03 21:20:02.37 DolsYK37
1nm台のメモリって作れないのか？
33:名無しのひみつ
12/01/04 01:27:59.94 TQLrbDVI
ASMLが超頑張れば可能かもしれない
ニコンとキャノンは既に死んでいる
34:名無しのひみつ
12/01/04 01:50:18.70 LnTFVGJq
三星に日本メーカーが製造装置を販売する以上、瞬間的に追いつく。
装置の設置、クリーンルームの環境整備、世界最高水準の原材料、超純水製造装置、すべて日本メーカーの仕事。
韓国の電気と勤勉な労働力で世界一の製品に仕上がる。
さあ、どうずるニッポン。
35:名無しのひみつ
12/01/04 01:54:36.29 gVz5VMVH
NECが90年代後半に理論的限界とされる7nmのトランジスタを試作したけど
量産は不可能そうだったな
それ以下はトンネル効果でオフにならないという
36:名無しのひみつ
12/01/04 01:56:22.24 /a9Ck3I6
困ったもんだ半導体も液晶も持ってかれたから何も残ってねー
37:名無しのひみつ
12/01/04 01:56:24.44 Xd9yy8Lb
>>32
10nm以下って意味なら世界中で作ってるよ
集積化・大量生産には程遠いが
1nm級は聞いたことないなぁ
38:名無しのひみつ
12/01/04 02:35:47.99 TgHCzn7K
早く究極の1分子トランジスタ作れよ
39:名無しのひみつ
12/01/04 02:39:36.82 ZfOaFBVH
そう言えば、ダイヤモンド半導体はどうなったんだ？
シリコンの何倍も早く動作するメモリは便利そう。
>>37
早く量産化されれば良いな。
40:名無しのひみつ
12/01/05 20:18:39.79 slbthnhw
単分子か単原子トランジスタは可能なんだよな、配線太いままトランジスタだけ小さくする方向に半導体は進化するのかな
41:名無しのひみつ
12/01/07 11:34:41.79 kYYuV4fl
積層３Ｄ化は価格上昇するだろうな。
メーカーにとっては歓迎だろうけれども。
42:名無しのひみつ
12/01/08 11:04:08.74 Aik8y9C1
>>20
MRAMをﾌﾗｯｼｭに使うとは書いてない。
採用は予想通りｺﾝﾄﾛｰﾗ周りから。
NANDﾌﾗｯｼｭは、速度と寿命と信頼性が改善するはず。
その次はおそらくﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ周り。