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【IEDM 2011レポート】再び活発になってきた大容量相変化メモリの開発競争
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IEDM 2011の会場であるHilton Washington
会期：12月5日～7日(現地時間)
会場：米国ワシントンD.C. Hilton Washington
□IEDM 2011のホームページ(英文)
URLﾘﾝｸ(www.his.com)
プロセッサやメモリ、アナログなどのデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の
国際学会「IEDM 2011」(2011 IEEE International Electron Devices Meeting)が
2011年12月5日に米国ワシントンD.C.で始まった。
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IEDM 2011の投稿論文と採択論文、参加者の数
初日(5日、現地時間)の正午に開催された報道機関向けの昼食会では、IEDM 2011の
概要が紹介された。国際学会では普通、発表希望の論文(投稿論文)の中から、実際に
発表される論文(採択論文)を選ぶ。投稿論文の数がその学会の規模や勢いなどを反映し、
採択率(投稿論文の中で採択論文となったものの割合)が学会で発表することの難しさを示
している。その業界を代表する評価の高い学会は、採択率が半分に満たないことが珍しくない。
IEDM 2011の投稿論文数はレギュラー617件、レイトニュース34件で、前回(IEDM 2010)の
レギュラー511件に比べると2割ほど増えた。採択論文の数はレイトニュースを含めて216件なので、
採択率は3分の1に満たない。IEDMで発表する機会を得るのは、かなり難しいことがわかる。
参加者数(登録者数)は5日午前の段階で1,352名と発表された。最終的には1,400名前後
が参加することになる見込みである。
IEDM 2011の講演セッション数は全体で36セッションに達する。6本～7本の講演セッションが
同時並行で進むことが常態化している。当然ながら、すべての講演セッションを聴講することは
難しい。そこでIEDM 2011レポートではメモリ技術に関する講演を中心に、トピックスをお届けする。
●相変化メモリの記憶原理
5日の午後には、相変化メモリの講演セッションが設けられていた。相変化メモリ(PCMあるいは
PRAM)は、次世代不揮発性メモリの有力候補であり、NANDフラッシュメモリやDRAMなどの
既存の半導体メモリの限界を突破するメモリとして期待されている。
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相変化メモリの記憶素子(模式図)
相変化メモリでは、「カルコゲナイド合金」と呼ばれる特殊な合金を記憶素子に使う。カルコゲ
ナイド合金には、加熱と冷却によって結晶相(結晶状態)とアモルファス相(ガラスと似た状態)の
2つのどちらかの状態で安定するという性質がある。ここで重要なのは、2つの相では電気抵抗が
大きく違うことだ。結晶相では抵抗値が低く、アモルファス相では抵抗値が高い。この抵抗の違い
を1bitのデータの違いに対応させることで、不揮発性メモリを実現している。
カルコゲナイド合金が結晶相とアモルファス相の間を行き来するために必要な時間は数十～数百
nsだとされている。この時間はデータの書き込み時間の目安であり、DRAMに比べると遅いものの、
フラッシュメモリに比べるとずっと速い。原理的にはフラッシュメモリよりも、はるかに高速に書き込める。
相変化メモリのメモリセルは、カルコゲナイド合金を利用した1個の記憶素子(抵抗変化素子)と、
セルを選択する素子(トランジスタあるいはダイオード)で構成する。この構成はDRAMセル(1個の
キャパシタとセル選択素子)に近い。同じシリコンダイ面積で、DRAMと同等の記憶容量を達成
できることになる。
福田 昭/PC Watch 2011年 12月 7日
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>>2辺りに続く