14/01/21 01:38:45.89 8sgpfMoS
>>214
2014/1/19付
（シリーズ検証 半導体興亡史）（３）苦闘11年 マネー敗戦 エルピーダ坂本社長の奔走 巨額投資、カベ高く
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日本勢が輝いた1990年代半ば以前と以降で、半導体の競争ルールが大きく変わった。半導体の微細化が
急速に進み、新鋭工場をつくるための投資額が400億～500億円レベルから1000億円超に跳ね上がったのだ。
バブルの後始末に追われた日本企業は巨額の投資に対応できず…
2014/1/19付
ルネサスの挫折 伊藤・初代社長に聞く 営業利益目標 低すぎた
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2013年３月期まで８期連続で最終赤字だったルネサスエレクトロニクス。同年９月末に約1300億円を出資した
政府系ファンド傘下に入った。ルネサスの前身は日立製作所と三菱電機のシステムＬＳＩ（大規模集積回路）事業
を統合したルネサステクノロジ。03年の発足時、世界で戦えるシステムＬＳＩメーカーと期待された同社はどこで
つまずいたのか。日立出身で初代社長を務めた伊藤達氏に聞いた。
―統合を決断したきっか…
2014/1/18
「超」高信頼をうたうメモリー、ルネサスが開発
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ルネサス エレクトロニクスは、SRAM（スタティック・ランダム・アクセス・メモリー）の経年劣化による不良の
抑制技術を開発し、第6回 国際カーエレクトロニクス技術展（2014年1月15日～17日、東京ビッグサイト）で紹介した。
車載向けなど、10年を超える使用が見込まれるシステムLSIに応用する。
開発した技術は、NBTIと呼ばれるPMOSトランジスターの劣化などによってSRAMの不良率が経年で高まる現象を
回避するもの。この現象は製造時に良品のSRAMにも生じる。従来は、10年といった経年変化を見込んだマージン
で設計していたため、動作速度や消費電力の最適化ができていなかった。また設計で見込んだ期間以上使うと、
突然不具合が発生するという問題もあった。