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［東京 ２６日 ロイター］ - 記憶用半導体のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーをめぐり、
韓国サムスン電子(005930.KS: 株価, 企業情報, レポート)と東芝(6502.T: 株価, ニュース, レポート)の２強による競争が激化する気配だ。
両社はこれまで微細化技術によるコスト低減と大容量化を追求してきたが、
サムスンが８月から３次元（３Ｄ）という新技術で量産に乗り出した。
東芝は当面、最先端の微細化で対抗し、１５年の３Ｄによる量産準備を同時に進める。
堅調なスマートフォン（多機能携帯電話）やタブレット（多機能携帯端末）向けの需要取り込みを目指し、
戦略に違いが出始めた両社。多額の設備投資をかける次世代メモリー競争でつまずけば、ともに経営の屋台骨を揺るがしかねない。
競争の行方は両社の経営の命運を握ることになりそうだ。
＜東芝は微細化でもまだ「十分戦える」＞
「（工場を）しっかり立ち上げ、業界ナンバーワンを目指す」。
東芝は２３日、ＮＡＮＤの主力拠点である四日市工場（三重県四日市市）の拡張工事を始めた。
成毛康雄上席常務は同日の起工式で、シェア首位を走るサムスンの追撃に意欲を見せた。
約３００億円投じて建設する新棟は来夏に竣工し、最先端の微細化技術を使った量産を始める。
現在量産している回路線幅１９ナノ（ナノは１０億分の１）メートルは髪の毛１本の直径に約５０００本の線が引ける細さ。
新棟ではこれをさらに狭めた技術で量産する。この結果、同じ大きさのチップでの大容量化が可能になる。
３Ｄのメモリーも１３年度中のサンプル出荷を目指しており、新棟で１５年には量産できるようにする。
ただ、設備や製造ラインの継続性などの点からもコスト力や品質の「確度が非常に高い」（成毛氏）として、
当面は微細化による生産が主になる。
田中久雄社長は７日の経営方針説明会後、前日６日に３Ｄによる量産開始を発表したサムスンに対し、
微細化で「（東芝が）常に先行してきており、十分に戦える」とけん制。
サムスンに「遅れているという捉え方をぜひしないでいただきたい」と報道陣に釘を刺した。
一方、サムスンは８月から華城（ファソン）事業所（京畿道華城市）で３Ｄメモリーの量産を始めた。
各社が３Ｄメモリーの開発には取り組んでいるが、量産化にこぎつけたのはサムスンが初めてだ。
１チップ当たりの記憶容量は微細化による製品の最大と同じ１２８ギガビット。
記憶素子を２４段積み重ねており、段を積み重ねればさらに大容量化でき、
５年以内には１テラ（テラは１兆）ビットの製品も可能だという。
ノートパソコンにスーパーコンピューターに入るメモリーを搭載できる見込みだとしている。
サムスンによれば、３Ｄメモリーは微細化による２０ナノ台の製造プロセスを使った既存製品に比べて２倍以上の記録密度を実現。
さらに１０ナノ台の製品と比べ、書き換え回数などの信頼性が２―１０倍に高まり、書き込み速度が２倍に向上するという。
微細化による製品に比べて３Ｄは、生産プロセスが増えるとしてコストの上昇を懸念する業界関係者の声も多い。
だが、サムスンは製造設備を小幅改良するだけで済んだため、生産コストも抑制できたと説明している。
サムスンのチェ・ジョンヒョク専務は６日の量産発表で「より高密度で高機能な３Ｄメモリーを投入し続ける」と意気込みを示した。
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