12/12/11 21:11:31.63
常時通電しなくても情報の保持が可能で、
読み書きも高速な次世代メモリー「ＲｅＲＡＭ」の動作原理を電子レベルで解明することに、筑波大と米スタンフォード大の研究チームが成功した。
ＩＴ機器の大幅な省エネ化に向けた貢献が期待される。
成果は１０日から米サンフランシスコで開かれる国際学会で発表される。
コンピューターのメモリーは、演算のため情報を一時的に記憶する装置で、
現在主流のＤＲＡＭは高速だが、情報保持には通電が必要。ＩＴ機器の消費電力増加量は、
技術革新がなければ２０２５年までに原発５０基分に達するといわれている。
一方、ＲｅＲＡＭは電極の間に酸化物を挟んだ構造で、一定の電圧で電気抵抗が変化。
この変化は１億分の１秒というＤＲＡＭ並みのスピードで、電気を切っても保持されるため、
常時通電が要らない次世代省エネメモリーとして注目されている。（2012/12/09-12:19）
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