12/01/25 10:43:13.20
エルピーダメモリは1月24日、次世代メモリ「ReRAM」（Resistance Random
Access Memory：抵抗変化型メモリ）の開発に初めて成功したと発表した。
不揮発性ながらNAND型フラッシュメモリと比べて高速で、情報機器用メモリの
大幅な省電力化が可能という。来年にも量産開始を目指す。
電圧を加えることで抵抗値が変化する材料を素子として使ったメモリ。
フラッシュメモリと同様、電源を落としてもデータを保持できる不揮発性で、
さらにデータの読み書きが高速かつ消費電力も少ないのが特徴。
DRAMとフラッシュのメリットを兼ね備えているとしている。書
き換え可能回数は100万回以上とNANDフラッシュの10倍以上という。
試作品は50ナノメートルプロセスで製造し、64Mビットのメモリセルアレイ動作を
確認した。
今後さらに開発を進め、来年にも30ナノメートルプロセスによるギガビットクラスの
製品の量産を目指す。
開発は独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構との共同研究事業で、
シャープ、独立行政法人 産業技術総合研究所、東京大学と共同で進めている。
ソースは
URLﾘﾝｸ(www.itmedia.co.jp)
エルピーダメモリ URLﾘﾝｸ(www.elpida.com)
2012年1月24日 新メモリ（高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM）の開発に成功
URLﾘﾝｸ(www.elpida.com)
株価 URLﾘﾝｸ(www.nikkei.com)
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