18/06/26 12:03:39.24 66c9B1Kb.net
imec、3nmプロセス以降の実現に向けた相補型FET技術を発表
URLﾘﾝｸ(news.mynavi.jp)
「優れた電気的特性を有し微細化に向いているCFETデバイスは、N3以降に必要な新しいデバイスアーキテクチャの優れた候補であり、ムーアの法則の終焉をさらに遠ざけることができる」と、imecのCFET開発担当者Julien Ryckaertは述べている。
今回の研究により、5nmを下回る微細化デバイスの製造コストや面積や性能の要求にこたえられることが明らかになった
300mmウェハ上で先端技術であるスピン軌道トルクMRAM(SOT-MRAM)デバイスを作製することに成功したことも報告している。
imecでは、この次世代MRAM技術を、高性能コンピューティングアプリケーションにおけるL1/L2 SRAMキャッシュメモリを代替するもの、と位置づけて研究開発を続けており、
今回実現されたデバイス性能としては、500億回以上というほぼ無制限ともいえるスイッチング耐久性、210psのスイッチング速度、300pJの低消費電力性といったものが確認されており、これらは、これまでに報告されたいる実験室レベルでのデバイス特性に匹敵するものだという。
「Intel Core iプロセッサーの15WのUシリーズに匹敵するパフォーマンスを叩き出せると�