24/03/01 15:46:00.67 vOaoznox.net
MOS FETは多くの場合
ソースに寄生ダイオードがくっついていることは大きい違いだし、ゲートソース間に保護ダイオードも入ってる。
ソースとドレインはサイズも違う。
でも、ソースとドレインは同じような働き方もする。
エンハンスメント型Nch MOS FETの場合、ゲート電圧＞ソース電圧と同じようにゲート電圧＞ドレイン電圧になるとONになる。
とりあえずそう考えなくても、ドレインが0Vまで引っ張られたら、寄生ダイオードを通じてソース電圧が下がる。
そしてゲート電圧＞(ソース電圧+Vth)になったら、やっぱりFETはONになる。
なので
逆方向はFETの寄生Diによるシンク
のときでも結果は、FETのON抵抗でのONになるのだ。
ちなみに、この回路はNPNトランジスタでも作れる。小信号で使うなら、エミッタとコレクタを入れ替えてもそれなりに動作する。