23/10/19 20:25:26.52 +j3ccim7.net
組み合わせ回路をもって、ソースフォロワとかエミッタフォロワって言いだしたら、
オペアンプのソースフォロワとかエミッタフォロワになっちゃう。
ここでは、単独の石だけのエミッタフォロワ、ソースフォロワについて書く。
○エミッタフォロワ
Vo≒Vi-Vbe
Vbeは0.6～0.7Vぐらい。温度や出力電流でも変わる。
交流の入出力の目安
ΔVo≒ΔVi×(Ro/(Ro+26/Ie(mA)))
Roは外付けエミッタ抵抗と負荷の並列。
26/Ie(mA)は等価的な内部の抵抗。エミッタ電流が1mAなら 26/1で26Ω
交流分についてはおよそ×1と言われているけれど、
エミッタ電流が小さくて、負荷抵抗が小さいと、数%は簡単におちる。
振幅が大きく、出力の電流のボトムとトップに大きい差が出てくると、
出力の電圧のボトムとトップでゲインが違うことになる。つまりひずむ。
交流ゲインに、入力抵抗が小さいことで入力が減衰することは含んでいない。
実際にはこれが問題になることがよくある、と思う。
○ソースフォロワ
Vo≒Vi-Vgs
Vgsは0.5V～数Vとか。 温度や出力電流でも変わるし、FETによってもまちまち。
バイポーラのVbeがだいたい0.7Vぐらいと見做せるのとはかなり違う。
交流の入出力の目安
ΔVo≒ΔVi×(Ro/(Ro+1/gm))
これも交流分についてはおよそ×1と言われているけれど、
gmは同じFETでも小さい電流の方が小さくなるので、小さい電流ほど
ゲインが小さくなる。
大きい振幅を扱うとひずむのは同じ。
○オペアンプのボルテージフォロワ
Vo≒Vi+offset
offsetは、1μV～数mVぐらいとか。オペアンプでいろいろ。
交流の入出力の目安
ΔVo≒ΔVi×(Av/(1+Av))
Avはオープンループゲインで帯域が十分なら10000以上とかなので、ゲインはほぼほぼ1だといえる。主観。