16/12/13 20:46:18.65 Z30xY9zU.net
>>634
増幅、という観点で見た場合トランジスタの増幅率（＝hFE）は常に比例関係です
つまりベースに流す電流をm倍にしたらコレクタ電流もm倍になります。
これは回路を設計する上で非常にわかりやすい
ところがFETの場合はこれが比例関係ではありません
FETの場合は相互コンダクタンス（＝gm）と呼びますが、これはゲート-ソース間
電圧によって変わってしまうのです
なので増幅を考える場合はトランジスタのほうが設計しやすいのです
16/12/13 20:46:18.65 Z30xY9zU.net
>>634
増幅、という観点で見た場合トランジスタの増幅率（＝hFE）は常に比例関係です
つまりベースに流す電流をm倍にしたらコレクタ電流もm倍になります。
これは回路を設計する上で非常にわかりやすい
ところがFETの場合はこれが比例関係ではありません
FETの場合は相互コンダクタンス（＝gm）と呼びますが、これはゲート-ソース間
電圧によって変わってしまうのです
なので増幅を考える場合はトランジスタのほうが設計しやすいのです